隨著集成電路器件尺寸的持續縮小,互連延遲越來越成為制約集成電路發展的瓶頸問題。在32nm及以下技術節點,互連工藝中磁控濺射制備的Ta/TaN雙層結構擴散阻擋層和銅籽晶層由于臺階覆蓋特性不好將帶來各種問題。為了降低互連線的電阻,必須在保證器件性能的同時,減小擴散阻擋層和籽晶層的厚度,而且兩者必須在高深寬比結構中有非常好的臺階覆蓋特性,因此迫切需要研究新型擴散阻擋層/黏附層材料和新型互連工藝,這是半導體發展路..